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碳化硅驱动SST产业发展,天岳先进卡位关键环节

2026-06-23 17:33:24 中宏网

  中宏网讯 今年以来,国内SST(固态变压器)产业发展驶入快车道,产业链协同正在加速。6月12日,南京市固态变压器成果发布会在江宁举办,国电南瑞百亿级固态变压器产业园项目加快推进,同日,江苏经信智库‌发布《‌江苏省固态变压器产业链图谱‌》。国电南瑞是该园区龙头企业,依托区域超2500亿元的成熟智能电网产业根基,当地将全力打造涵盖上游宽禁带器件、中游整机制造、下游多场景示范应用的全链条产业生态,为国产SST技术规模化落地、产业化迭代筑牢硬件与产业基础。

  同期,中国西电下属子公司成功斩获海外数据中心SST订单,拿下4台13.8kVAC/800VDC规格固态变压器出海订单。国产设备实现海外商业化落地,不仅验证了国产SST产品的技术稳定性与市场竞争力,更意味着我国新一代高压配电装备正式出海,在全球AI数据中心配电领域输出中国技术、中国标准。

  近年来,AI数据中心的大规模建设推动了固态变压器的产业化进展,固态变压器也从前沿科研概念变为重构智能电网、AI算力中心供电体系的核心装备和关键技术,而这背后是碳化硅技术驱动的电力产业变革。

  AI算力倒逼配电革新,SST成为行业终局解决方案

  SST产业在2026年迎来加速发展,其增长依托AI算力产业的高速扩张,这一发展趋势对配电体系提出全新需求。

  随着大模型、高密智算集群快速普及,数据中心单机柜功率从传统数十千瓦级别,快速向兆瓦级跨越,沿用数十年的工频变压器配电架构,已然触及物理性能“天花板”。传统配电体系链路繁琐,电网13.8kV至35kV高压交流电,需经过多级配电、工频变压、低压整流等多重工序,才能转化为服务器可用的直流电。此类传统变压器依赖铜线、铁芯制造,单台10kV/2MW设备重量可达15吨,不仅占地面积大、空间利用率低,多级能量转换还造成持续能耗损耗,完全无法适配高密度、高能效、轻量化的新型算力中心建设需求。

  相较于传统设备,SST依托半导体电力电子变换技术,彻底重构配电逻辑。凭借碳化硅功率器件的高频特性,SST可实现10kV中压交流至800V直流的一步式转换,大幅精简配电链路。性能层面优势十分显著,设备全链路转换效率最高可达98.5%,较传统配电方案提升3至5个百分点;设备体积仅为传统变压器的1/5至1/10,可节约数据中心40%至50%的配电占地,精准解决AI算力中心能耗高、占地大、扩容难的核心痛点。

  目前,SST的加速推进已经成为新一代AI科技革命绕不开的硬件基础之一。英伟达2025年发布的算力中心供电白皮书中,将SST确立为下一代800V高压直流供电架构的核心设备。施耐德电气预计到2030年大功率、高电压等级SST将全面成为AI数据中心主流配电方案。可见来自AI数据中心的需求最为迫切。

  据测算,SST产业的规模将达到万亿级别。高盛2026年5月分析报告预测AI数据中心SST赛道2030年的规模将达到10至50亿美元,部分市场分析报告指出,叠加电网、储能、充电全场景测算,预计2030年全球SST整体市场规模有望突破万亿元,特别是北美市场需求占比超60%。

  碳化硅技术是SST核心,重构产业价值体系

  SST具有高频、高压、高效率的运行特性,SST系统的核心是实现变压能力的高压半导体功率器件。SST的商业化落地,关键依托于实现高压向低压转换的碳化硅(SiC)半导体材料的技术突破。半导体硅基器件存在性能短板,在800V以上高压工况下,硅基器件开关损耗大幅攀升,工作频率存在硬性限制,无法支撑SST高频变换的核心设计。而高频、高压、高效率的运行特性正是碳化硅器件的优势所在,因此碳化硅技术的突破决定了SST发展的路径。

  碳化硅是SST规模化商用的刚需核心材料,无可替代。从成本结构来看,碳化硅功率器件占单台SST整机价值的20%至30%。碳化硅不仅仅是在技术支撑SST的发展,更是这场电力产业变革的核心价值高地。

  碳化硅功率器件在新能源车领域已经获得充分、全面的技术验证。凭借远优于传统硅基IGBT的高压耐受力、低开关损耗与耐高温特性,碳化硅功率器件推动新能源车向800V高压快充平台发展,不仅实现效率提升、续航增加,而且是实现兆瓦级别闪充的技术核心。各类车企包括比亚迪、特斯拉等已将碳化硅电控批量装车,碳化硅技术在新能源车领域已经完成大规模商用验证。目前碳化硅器件在新能源车的应用正在快速替代硅基器件,2025年碳化硅技术在我国新能源车的渗透率已经达到16.89%。

  我国企业掌握关键材料,天岳先进技术实力领先

  作为碳化硅功率器件制造的核心基底,衬底材料直接决定器件的耐压性、稳定性与使用寿命,是SST中高压大功率碳化硅器件稳定运行的核心保障。不论是新能源车还是电网,材料支持下的高压碳化硅器件的稳定性至关重要,这就离不开碳化硅衬底材料的技术突破。

  目前在SST产业上游的关键半导体碳化硅材料领域,国内企业天岳先进在全球范围内已经成为技术引领者。2025年,天岳先进以27.6%的全球导电型碳化硅衬底市场占有率排名全球第一,成为整个产业链上游最关键的技术和市场参与方,客户包括英飞凌、博世、安森美等碳化硅器件全球范围内的头部大厂。天岳先进不直接参与SST整机集成,而是下游功率器件厂商,推动以碳化硅功率器件为核心的SST产业链。

  可以看到SST的技术突破,从产业链上游的关键半导体材料,到配电网端的SST设备供应商,已经实现了产业链的突破和协同,有望共同推动SST产业的高速增长。


  特别声明:文中提及内容均来源于公开信息,不构成实质性投资建议,据此操作风险自担。

素材源:吕怡蕾
编辑:康书源
审核:吴娜

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