据综合报道，由于高带宽内存（HBM）需求远超供应，三星电子已经将其4纳米制程的一半产能分配给内存芯片。
据悉，截至上个月，该公司4纳米芯片产能的50%已用于生产HBM4内存芯片，而目前4纳米制程已满负荷运转，其中50%至60%的产量用于生产HBM4基础裸片。
消息人士指出，三星电子韩国平泽工厂2号和3号园区生产4纳米到7纳米的芯片，用到S5和S6两条晶圆生产线。其中4纳米芯片的月产能为3万片，而用于生产HBM4的基础裸片目前占到1.5万片。
8月还有报道指出，三星电子正在考虑将2纳米制程应用于HBM基础裸片。三星可能改造其位于韩国器兴工业区的一条生产线，生产出来的2纳米HBM芯片可能专门供应给英伟达。
扩产竞争
周一，韩国券商KB Securities在报告中指出，三星电子和SK海力士的存储半导体库存已降至不足10天的供应量，明年可用供应将明显不足。
人工智能数据中心的高需求是造成当前内存芯片严重供不应求的关键，目前三星电子、SK海力士以及美光科技都在加快扩产HBM芯片，但这也挤压了传统DRAM芯片的产能。
业内此前估计，三星电子和SK海力士当前的HBM月产能均在15万至20万片之间，而美光目标是在今年底达到10万片。
三家公司在HBM4芯片上采取的技术路线也略有不同，SK海力士选择将基础裸片外包给台积电，并在初代HBM4使用成熟的1b工艺（10纳米级第五代DRAM制程工艺）先保良率。美光则在技术选择上相对谨慎，目前主要任务仍是产能爬坡。
相对而言，三星电子直接采用1c工艺（10纳米级第六代DRAM制程工艺），并自研4纳米基础裸片，方便与自家代工和封装工艺协同。业内估计，这种激进打法在良率保证的情况下，能够在今年下半年抢占市场更多的份额。（编辑 马兰）
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